Вакуумный универсальный пост ВН 2000 предназначен для получения пленок из различных материалов с высокой производительностью методом магнетронного распыления, а также для подготовки объектов, исследуемых с помощью электронного микроскопа или других аналитических приборов.Прибор может быть применен для исследований в области физики, химии, биологии, медицины и других областях науки и техники.Прибор предназначен для эксплуатации в стационарных лабораторных условиях при температуре окружающего воздуха от 15 до 25oС и относительной влажности не более 80%. Наличие в помещении агрессивных паров недопустимо.
Основные параметры и характеристики
*Остаточное давление в высоковакуумном объеме пpи охлаждении ловушки жидким азотом 1,3 × 10-4 Pa.
*Остаточное давление в высоковакуумном объеме при охлаждении ловушки водой 1,3 × 10-3 Ра.
*Ток накала испарителей 200 А.
*Температура столика для нагрева объектов 1100oС.
*Температура столика для охлаждения объектов, oС, минус 160 .
*Напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя 7 к V.
*Максимальный ток тлеющего разряда 47 m A.
*Максимальное напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя источника питания магнетрона, кV, не менее 0,9.
*Максимальный ток магнетрона, mА, не менее 300.
*Температура в районе подложки устройства для осаждения пленок не менее 300oС. Время нагрева не более 30 min.
*Время смены подложек не более 7 s , скорость вращения подложек не менее 0,5 s -1.
*Заслонка устройства смены подложек обеспечивает перекрытие потока испаряемого вещества от испарителя к подложкам .
*Устройство дискретного испарения обеспечивает подачу на испаритель в процессе испарения измельченного вещества.
*С помощью пультов управления обеспечивается выход в рабочий режим вакуумной системы из холодного состояния и коммутация вакуумной системы во время работы. Магнитораспыляющая система обеспечивает:
*универсальность процесса, что позволяет получить пленки металлов, сплавов и полупроводников;
*высокую скорость осаждения с возможностью ее регулирования в широких пределах;
*сохранение соотношения компонентов при распылении вещества сложного состава;
*получение особо чистых пленок;
*высокую адгезию пленок и подложки;
*возможность изменения структуры и свойств пленок;
*распыление нескольких материалов без разгерметизации объема;
*низкую пористость пленок даже при малых толщинах;
*небольшое тепловое воздействие на обрабатываемую структуру;
*высокую энергетическую эффективность процесса;
*использование для осаждения и травления широкого класса материалов.
Основные параметры и характеристики
*Остаточное давление в высоковакуумном объеме пpи охлаждении ловушки жидким азотом 1,3 × 10-4 Pa.
*Остаточное давление в высоковакуумном объеме при охлаждении ловушки водой 1,3 × 10-3 Ра.
*Ток накала испарителей 200 А.
*Температура столика для нагрева объектов 1100oС.
*Температура столика для охлаждения объектов, oС, минус 160 .
*Напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя 7 к V.
*Максимальный ток тлеющего разряда 47 m A.
*Максимальное напряжение на выходе высоковольтного выпрямителя источника питания магнетрона, кV, не менее 0,9.
*Максимальный ток магнетрона, mА, не менее 300.
*Температура в районе подложки устройства для осаждения пленок не менее 300oС. Время нагрева не более 30 min.
*Время смены подложек не более 7 s , скорость вращения подложек не менее 0,5 s -1.
*Заслонка устройства смены подложек обеспечивает перекрытие потока испаряемого вещества от испарителя к подложкам .
*Устройство дискретного испарения обеспечивает подачу на испаритель в процессе испарения измельченного вещества.
*С помощью пультов управления обеспечивается выход в рабочий режим вакуумной системы из холодного состояния и коммутация вакуумной системы во время работы. Магнитораспыляющая система обеспечивает:
*универсальность процесса, что позволяет получить пленки металлов, сплавов и полупроводников;
*высокую скорость осаждения с возможностью ее регулирования в широких пределах;
*сохранение соотношения компонентов при распылении вещества сложного состава;
*получение особо чистых пленок;
*высокую адгезию пленок и подложки;
*возможность изменения структуры и свойств пленок;
*распыление нескольких материалов без разгерметизации объема;
*низкую пористость пленок даже при малых толщинах;
*небольшое тепловое воздействие на обрабатываемую структуру;
*высокую энергетическую эффективность процесса;
*использование для осаждения и травления широкого класса материалов.